进口化学气相沉积设备价格询问报价 沈阳鹏程

化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜

化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的-有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。3供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器pc和流量控制器mfc-的控制气体的流速和流量。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见比如制备 w、mo、pt、ir 等以及个别的化合物单晶薄膜例如铁酸镍薄膜、钇铁石榴石薄膜、钴铁氧体薄膜等。

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化学气相沉积的分类

化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd，apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd，lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd，uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd，lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd，mocvd)，等离子体增强化学气相沉积plasma enhanced cvd，pecvd等。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过-挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。

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化学气相沉积法简介

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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响，生成固态物质堆积在加热的固态基体外表，进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。

化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、-物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。现在，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

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等离子体增强化学气相沉积pecvd技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从-上改变了反应体系的能量供给方式。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。一般说来,采用pecvd技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。